Kvaliteetseid SiC monokristalle valmistatakse peamiselt füüsikalise aurutranspordi (PVT) ja kõrgtemperatuurse keemilise aurustamise teel (HTCVD). PVT-meetod sublimeerib ränikarbiidi lähtepulbrit kõrgel temperatuuril, mille tulemusena kondenseeruvad selles sisalduvad komponendid idukristalli pinnale, et kasvatada kvaliteetseid SiC monokristalle. HTCVD meetod sünteesib SiC kristalle kõrgel temperatuuril keemilise aurustamise teel.
